ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

La compañía aboga la cultura corporativa de la “integridad y esmero, innovación pragmática, unidad y cooperación, diligencia y progreso”, presta la atención a la gestión estandardizada, abogados

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
3 Años
Casa / Productos / Infrared Photoelectric Sensor /

YJJ S2387-66R El fotodiodo de silicio es adecuado para fotómetros de propósito general en la banda visible a infrarroja

Contacta
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissXu
Contacta

YJJ S2387-66R El fotodiodo de silicio es adecuado para fotómetros de propósito general en la banda visible a infrarroja

Preguntar último precio
Canal de vídeo
Número de modelo :S2387-66R
Lugar de origen :Japón
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de suministro :2200
Tiempo de entrega :3 días
Detalles del embalaje :Tubería
Fotosensibilidad (valor típico) :0.45A /W
Corriente oscura (máximo) :PA 200
Frecuencia de corte (valor típico) :20 MHz
Capacidad de unión (típica) :25 PF
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Descripción del producto:

S2387-66R El fotodiodo de silicio es adecuado para fotómetros de uso general en la banda visible a infrarroja

 

Características:

Fotodiodo PIN de silicio de cuatro píxeles

El S2387-66R es un fotodiodo PIN de silicio de cuatro píxeles con sensibilidad en el espectro ultravioleta al infrarrojo cercano.por ejemplo, para la alineación del haz láser.

Peculiaridad

- Formato de cuatro (2 × 2) píxeles

- Bajo ruido cruzado: máximo 2%

- Amplio rango de respuesta espectral: 190 a 1000 nm

- Respuesta de alta velocidad: fc = 20 MHz

- Un paquete de metal TO-5

El número de píxeles es de 4 segmentos

De metal encapsulado

Categoría de paquete TO-5

Tipo de refrigeración sin enfriamiento

Rango de longitud de onda de sensibilidad de 190 a 1000 nm

longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 720 nm

Fotosensibilidad (valor típico) 0,45 A/W

Corriente oscura (máximo) 200 pA

Frecuencia límite (valor típico) 20 MHz

Capacidad de unión (típica) 25 pF

Condiciones de medición Valor típico Ta = 25°C, a menos que se indique lo contrario

Para cada píxel (excepto la superficie receptora de luz), sensibilidad: λ = λp, corriente oscura: VR = 5V, frecuencia de corte: VR = 5V, capacidad de unión: VR = 5V, f = 1MHz

 

Especificaciones:

Fotosensibilidad (valor típico) 0.45A/W
Corriente oscura (máximo) 200 pA
Tiempo de subida (valor típico) 2 μs
Capacidad de unión (valor típico) 25 pF

 

YJJ S2387-66R El fotodiodo de silicio es adecuado para fotómetros de propósito general en la banda visible a infrarroja

 

Carro de la investigación 0