ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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YJJ G12180-010A Fotodiodo PIN de arsénico de indio y galio

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Provincia / Estado:guangdong
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YJJ G12180-010A Fotodiodo PIN de arsénico de indio y galio

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Número de modelo :G12180-010A
Lugar de origen :Japón
Cantidad mínima de pedido :1
Condiciones de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de suministro :2200
Tiempo de entrega :3 días
Detalles del embalaje :Enlatado
el área sensible es :φ1 mm
el número de píxeles es :1
Encapsulación :El metal
Tipo de encapsulación :TO-18
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Descripción del producto:

G12180-010A Fotodiodo PIN de arsénico de indio y galio

 

Características:

Peculiaridad

- Bajo ruido, baja corriente oscura

- Baja capacidad de unión

- Superficie receptora: φ1 mm

- Bajo ruido.

Superficie receptora φ1,0 mm

Número de píxeles 1

De metal encapsulado

Categoría de paquete TO-18

Tipo sin enfriar de disipación de calor

Rango de longitud de onda de sensibilidad de 0,9 a 1,7 μm

longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) 1,55 μm

Fotosensibilidad (valor típico) 1,1 A/W

Corriente oscura (máximo) 4 nA

Frecuencia límite (valor típico) 60 MHz

Capacidad de unión (típica) 55 pF

Potencia equivalente de ruido (valor típico) 1,4 × 10-14 W/Hz1/2

Valor típico de las condiciones de medición Tc = 25°C, salvo indicación en contrario, sensibilidad: λ = λp, corriente oscura: VR = 5V, frecuencia de corte: VR = 5V, RL = 50Ω, -3 dB, capacidad de unión: VR = 5V,f = 1MHz

 

Especificaciones:

El coolin Sin enfriar
Rango de respuesta espectral 0de 0,9 a 1,7 μm
longitud de onda máxima (valor típico) 1.55 μm
Sensibilidad a la luz (valor típico) 0.9A /W

 

YJJ G12180-010A Fotodiodo PIN de arsénico de indio y galio

 

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