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Sensor del fotodiodo del silicio de S12915 33R para el fotómetro general
Fotodiodo S12915-33R del silicio para el fotómetro general en visible a la banda infrarroja
Características:
Nueva unidad tradicional del producto de la carta
Modelo S12915-33R S2387-33R -
Sello plástico material del rellenado de la ventana -
Paquete 6 x 7.6m m
El tamaño superficial de recepción es 2,4 el × 2.4m m
Área fotosensible eficaz 5,7 mm2
El voltaje reverso máximo es 30 V
Temperatura de funcionamiento -20 ~ ℃ +60
Temperatura de almacenamiento -20 ~ ℃ +80
Las gamas de longitud de onda de la sensibilidad a partir del 340 nanómetro a 1100 nanómetro
La longitud de onda máxima de la sensibilidad es 960 nanómetro
La sensibilidad típica es 0,64 0.58A /W
La corriente típica del cortocircuito es el μA 5,7 5,8
La corriente oscura máxima es PA 5
Coeficiente de temperatura de la identificación 1,12 veces/°C
El tiempo de subida típico es 1,6 1,8 μs
Valor típico 680 730 PF de la capacitancia de empalme
Valor típico 50 GΩ de la resistencia de desviación
× equivalente 9,9 10-16 W/Hz1/2 del × 10-16 del poder 9,0 del ruido
Valor típico Ta=25°C, sensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, f=10 kilociclo, resistencia del shvolt: VR=10 milivoltio, poder equivalente del ruido: VR=0 V, λ=λp, salvo que se indique lo contrario
Especificaciones:
el tiempo de subida típico es | 1,6 1,8 μs |
Valor típico de la capacitancia de empalme | 680 730 PF |
Valor típico de la resistencia de desviación | 50 GΩ |
Coeficiente de temperatura de la identificación | 1,12 veces/°C |