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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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El silicio S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor substituye S1133

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China El silicio S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor substituye S1133 wholesale
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El silicio S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor substituye S1133
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Number modelo :S16765-01MS
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :5
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :1501/pcs/pre
Detalles de empaquetado :Tubos de
Diámetro/longitud sensibles de la zona :2.8m m
la longitud de onda mínima es :320m m
la longitud de onda máxima es :560m m
Sensibilidad máxima A/W :0,3
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El silicio S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor substituye S1133

La fotocélula S16765-01MS del silicio del PIN del fotodiodo puede substituir totalmente S1133

Características:

Fotocélula fotosensible del silicio del fotodiodo de Hamamatsu

Alto rendimiento, altos fotodiodos del PIN del Si de la confiabilidad

Alto rendimiento, alto fotodiodo del PIN del silicio de la confiabilidad

Valor del nombre de parámetro

De cerámica encapsulada

Diámetro de la zona/longitud sensibles milímetro 2,8

La longitud de onda mínima es 320 nanómetro

La longitud de onda máxima es 730 nanómetro

La longitud de onda máxima es 560 nanómetro

Sensibilidad máxima A/W 0,3

Corriente oscura máxima (nA) 0,01

(G) 100 del Rsh Ω

TR (nosotros) 2,5

CT (PF) 700

La pieza del fotodetector cubre los fotodiodos, los diodos de avalancha, y los tubos de fotomultiplicador comunes que forman de radiografías a la luz ultravioleta, visible

, cerca de infrarrojo, hasta 3000nm en la banda infrarroja media; La forma del paquete de Chip Level a los componentes nivela, módulo

Nivel de diversos diodos láser del semiconductor

Ventas profesionales de los dispositivos optoelectrónicos de Japón Hamamatsu, recepción óptica, fotodiodo del silicio, componentes ópticos fotoeléctricos de la detección de los dispositivos de detección

Especificaciones:

Temperatura de soldadura 260℃
Poder de la fuente de luz ² de los 0.1u~100mW/cm
Gama espectral de la detección 25℃, el 10% de R
Voltaje reverso 3V

El silicio S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor substituye S1133El silicio S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor substituye S1133

Etiquetas de productos:

infrared 940nm

ir sensor datasheet

omron photoelectric sensor
Carro de la investigación 0

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