ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

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Número de modelo :S12060-02
Lugar de origen :China
Cantidad mínima de pedido :1
Términos de pago :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de suministro :1000 unidades por mes
El tiempo de entrega :5-8workingdays
detalles del empaque :Embalaje estándar
El tipo :En el infrarrojo cercano (coeficiente de baja temperatura)
Superficie receptor de luz :φ0,2 mm
Paquete :el metal
Categoría del paquete :TO-18
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S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

 

Características:

Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura:
0.4 V/°C
Respuesta de alta velocidad
Alta sensibilidad y bajo ruido

 

Aplicaciones:

Máquinas y aparatos para la fabricación de máquinas de la partida 8521
FSO
Comunicaciones de fibra óptica

 

Hoja de datos:

longitud de onda de sensibilidad máxima (típica) 800 nm
Rango de longitudes de onda de sensibilidad de 400 a 1000 nm
Fotosensibilidad (típica) 0.5 A/W
Corriente oscura (máxima) 0.5 nA
Frecuencia de corte (típica) 1 000 MHz
Capacidad de unión (típica) 1.5 pF
Tensión de ruptura (típica) Las demás:
Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura (típico) 0.4 V/°C
Ratio de ganancia (valor típico) 100

 

S12060-02 Fotodiodo de avalancha de silicio Senspr Tipo de APD de coeficiente de baja temperatura para banda de 800 Nm

 

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