ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
La compañía aboga la cultura corporativa de la “integridad y esmero, innovación pragmática, unidad y cooperación, diligencia y progreso”, presta la atención a la gestión estandardizada, abogados
Add to Cart
Descripción del producto:
Funcionamiento en modo fotovoltaico basado en fotodiodo UV GT-UVV-LW InGaN
Características:
Características generales: l Material a base de nitruro de indio y de galio
L Funcionamiento en modo fotovoltaico
Casilla de metal para el TO-46
L Alta capacidad de respuesta y baja corriente oscura
Aplicaciones: Monitoreo de LED UV, medición de dosis de radiación UV, curado UV
Parámetros Valor del símbolo Unidad Clasificaciones máximas
Rango de temperatura de funcionamiento Topt -25-85 oC
Intervalo de temperatura de almacenamiento Tto -40-85 oC
Temperatura de soldadura (3 s) Tsol 260 oC
Ventilación inversa Vr-máximo -10 V
Características generales (25 oC) Tamaño del chip A 1 mm2 Corriente oscura (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Coeficiente de temperatura Tc 0,05 %/ oC Capacidad (a 0 V y 1 MHz) Cp 60 p>
Especificaciones:
| Especificaciones | Parámetros |
| longitud de onda máxima | 390 nm |
| Sensibilidad a la luz | 0.289A/W |
| El rango de respuesta espectral (R=0,1 × Rmax) | - 290 a 440 nm |
| La relación de rechazo UV visible (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
