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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo

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China UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo wholesale
  • China UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo wholesale

UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo
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Number modelo :GS-AB-S
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :5
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :1501/pcs/pre
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :Tubos de
Material :materia prima del nitruro del galio
Banda ancha :Fotodiodo de UVA+UVB+UVC
Principio :Funcionamiento en modo fotovoltaico
Empaquetado :TO-46
Objeto de prueba :Detección ultravioleta
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Descripción de producto:

GS-AB-S GaN-basó el fotodiodo ULTRAVIOLETA

Características:

Fotodiodo amplio de la banda UVA+UVB+UVC

Operación fotovoltaica del modo

Vivienda de TO-46metal

Buena ceguera visible

Alto responsivity y corriente oscura baja

Supervisión ULTRAVIOLETA del índice, medida ULTRAVIOLETA de la dosis de radiación, detección de la llama

Especificación

Parámetros Símbolo Valor Unidad
Grados máximos
Gama de temperaturas de la operación Topt -25-85 Oc
Gama de temperaturas de almacenamiento Tsto -40-85 Oc
Temperatura que suelda (3 s) Tsol 260 Oc
Voltaje reverso Vr-máximo -10 V
Características generales (25 Oc)
Tamaño del microprocesador 1 mm2
Actual oscuro (Vr = -1 V) Identificación <1>nA
Coeficiente de temperatura (@265 nanómetro) Tc 0,05 % Oc
Capacitancia (en 0 V y 1 megaciclo) Cp 18 PF
Características de respuesta espectral (25 Oc)
Longitud de onda del responsivity máximo λ p 355 nanómetro
Responsivity máximo (en 355 nanómetro) Rmax 0,20 A/W
Gama de la respuesta espectral (R=0.1×Rmax) - 210-370 nanómetro
ratio de rechazo Ultravioleta-visible (Rmax/R400 nanómetro) - >104 -

Especificaciones:

Especificaciones Parámetros
Longitud de onda máxima 355NM
Sensibilidad ligera 0.20A/W
Tiempo de subida 3US
Condiciones de prueba valores típicos, Ta=25°

UVA GaN-basó la operación fotovoltaica ULTRAVIOLETA del modo del sensor GS-AB-S del fotodiodo

Etiquetas de productos:

uv photodiode

photodiode uv

uv photodetector
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