ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

La compañía aboga la cultura corporativa de la “integridad y esmero, innovación pragmática, unidad y cooperación, diligencia y progreso”, presta la atención a la gestión estandardizada, abogados

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
3 Años
Casa / Productos / Infrared Photoelectric Sensor /

Sensor fotoeléctrico infrarrojo de los preamplificadores S8746-01, silicio integrado Pin Photodiode del resistor

Contacta
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissXu
Contacta

Sensor fotoeléctrico infrarrojo de los preamplificadores S8746-01, silicio integrado Pin Photodiode del resistor

Preguntar último precio
Canal de vídeo
Number modelo :S8746-01
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :311/pcs/pre
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :En una caja
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Descripción de producto:

Fotodiodos del silicio S8746-01 con los resistores y condensadores y preamplificadores integrados

Características:

Un fotodiodo con los resistores y los condensadores integrados de la reacción para los preamplificadores

S8746-01 es un sensor de poco ruido integrado por los fotodiodos, amplificadores operativos, resistores de la reacción y condensadores, embalados todo en un paquete muy pequeño. Cuando está conectado con una fuente de energía, puede ser utilizado para las medidas ligeras débiles, tales como dispositivos del análisis o aparatos de medición. Su superficie sensible a la luz está conectada con el extremo de la tierra, de modo que pueda suprimir el ruido del EMC muy alto.

Características de producto

Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta acercar a infrarrojo

Pequeño paquete del metal con la ventana del cuarzo: TO-8

Área fotosensible: 5,8×5.8milímetro

Rf=1 incorporado Gω Cf=5 PF

El FET de la energía baja entró el de Op. Sys.-amperio

NEP de poco ruido, bajo

Resistencia de externo para alcanzar aumento variable

Paquete con proteger la función

Resistencia del ruido del EMC

Especificaciones:

Voltaje reverso (máximo) 20 V
la gama de la respuesta espectral es 190 a 1100 nanómetro
Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) 960 nanómetro
Poder equivalente del ruido (valor típico) 15×10-15 W/Hz1/2
Condiciones de la medida Tipo. Ta=25 ℃, F =10Hz, λ=λp, a menos que se indicare en forma diferente

Sensor fotoeléctrico infrarrojo de los preamplificadores S8746-01, silicio integrado Pin Photodiode del resistor

Sensor fotoeléctrico infrarrojo de los preamplificadores S8746-01, silicio integrado Pin Photodiode del resistor

Sensor fotoeléctrico infrarrojo de los preamplificadores S8746-01, silicio integrado Pin Photodiode del resistor

Carro de la investigación 0