ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

La compañía aboga la cultura corporativa de la “integridad y esmero, innovación pragmática, unidad y cooperación, diligencia y progreso”, presta la atención a la gestión estandardizada, abogados

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
3 Años
Casa / Productos / Infrared Photoelectric Sensor /

Sensor fotoeléctrico infrarrojo del escáner de la posición S5106, detector del fotodiodo del silicio

Contacta
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissXu
Contacta

Sensor fotoeléctrico infrarrojo del escáner de la posición S5106, detector del fotodiodo del silicio

Preguntar último precio
Canal de vídeo
Number modelo :S5106
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :5
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :1501/pcs/pre
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :Bandejas
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Descripción de producto:

S5106 silicio PIN Photodiode Surface Mount Type Chip Carrier Package

Características:

El PIN de S5106 Si es un fotodiodo del PIN del Si selló en la ayuda del microprocesador, conveniente para el soporte superficial usando proceso automático del reflujo de la soldadura. El área fotosensible grande es conveniente para la transmisión ligera espacial que requiere un ángulo de visión amplio. Otras áreas de aplicación incluyen los escáneres de la posición, los fotómetros y los instrumentos analíticos.

Características de producto

Área fotosensible: × 5 5 milímetros

Tipo superficial paquete del soporte de portador de microprocesador de cerámica

Conveniente para la soldadura del flujo

Alta sensibilidad

Frecuencia de atajo (valor típico) 20 megaciclos

Poder equivalente del ruido (valor típico) 1,6×10-14conhz1/2

de las condiciones Ta=25 de la medida, tipo., fotosensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR==10 V, frecuencia de atajo: VR=10 V, capacitancia terminal: VR=10 V, F =1 megaciclo, poder equivalente del ruido: VR=10 V, λ=λp, a menos que se indicare en forma diferente

Especificaciones:

Voltaje reverso (máximo) 30 V
la gama de la respuesta espectral es 320 a 1100 nanómetro
Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) 960 nanómetro
Sensibilidad (valor típico) 0,72 A/W
Actual oscuro (máximo) PA 5000
Capacitancia de empalme (valor típico) 40 PF
Frecuencia de atajo (valor típico) 20 megaciclos

Sensor fotoeléctrico infrarrojo del escáner de la posición S5106, detector del fotodiodo del silicio

Sensor fotoeléctrico infrarrojo del escáner de la posición S5106, detector del fotodiodo del silicio

Carro de la investigación 0