ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Sensor universal fotoeléctrico infrarrojo del fotodiodo del silicio del sensor 30 V de S2386-5K

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
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Sensor universal fotoeléctrico infrarrojo del fotodiodo del silicio del sensor 30 V de S2386-5K

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Canal de vídeo
Number modelo :S2386-5K
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :5
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :1501/pcs/pre
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :Tubos de
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Descripción de producto:

Determinación fotométrica universal del fotodiodo del silicio de S2386-5K

Características:

Conveniente para que luz visible acerque a la banda infrarroja, determinación fotométrica universal

Características de producto

Alta sensibilidad en visible para acercar a la banda infrarroja

Corriente oscura baja

Alta confiabilidad

Altas linearidades

de la condición TYPE.TA =25 de la medida, a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=960 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo

Especificaciones:

Voltaje reverso (máximo) 30 V
la gama de la respuesta espectral es 320 a 1100 nanómetro
Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) 960 nanómetro
Sensibilidad (valor típico) 0,6 A/W
Actual oscuro (máximo) PA 5
Tiempo de subida (valor típico). 1,8 u s
Capacitancia de empalme (valor típico) 730 PF

Sensor universal fotoeléctrico infrarrojo del fotodiodo del silicio del sensor 30 V de S2386-5K

Sensor universal fotoeléctrico infrarrojo del fotodiodo del silicio del sensor 30 V de S2386-5K

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