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Fotodiodo de la avalancha de la área extensa del silicio de S1337-1010BQ para la determinación fotométrica exacta

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Fotodiodo de la avalancha de la área extensa del silicio de S1337-1010BQ para la determinación fotométrica exacta

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Number modelo :S1337-1010BQ
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :311/pcs/pre
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :Conservado
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Descripción de producto:

Los fotodiodos del silicio de S1337-1010BQ se utilizan para la determinación fotométrica exacta en ultravioleta a las bandas rojas

Características:

Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta a la banda roja

Características de producto

Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA: QE el = 75% (λ=200 nanómetro)

Capacitancia baja

de la condición Ta=25 de la medida, tipo., a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=960 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo

Especificaciones:

Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) 960 nanómetro
Sensibilidad (valor típico) 0,5 A/W
Actual oscuro (máximo) PA 200
Tiempo de subida (valor típico) 3 MU s
Capacitancia de empalme (valor típico)

1100 PF

Fotodiodo de la avalancha de la área extensa del silicio de S1337-1010BQ para la determinación fotométrica exacta

Fotodiodo de la avalancha de la área extensa del silicio de S1337-1010BQ para la determinación fotométrica exactaFotodiodo de la avalancha de la área extensa del silicio de S1337-1010BQ para la determinación fotométrica exacta

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