Add to Cart
Descripción del producto:
S1226-8BQ Fotodiodo de silicio para fotometría de precisión UV a visible con sensibilidad infrarroja cercana suprimida
Características:
● Alta sensibilidad a los rayos UV: QE = 75% (λ=200 nm)
● Suprimir la sensibilidad a los NIR
● Baja corriente oscura
● Alta confiabilidad
Corriente oscura (máximo) 20 pA
Tiempo de aumento (valor típico).2 mu s
Capacidad de unión (valor típico) 1200 pF
Condición de medición Ta=25°C, Tipo, salvo indicación en contrario, Fotosensibilidad: λ=720 nm, Corriente oscura: VR=10 mV, Capacidad terminal:VR=0 V, f=10 kHz
Especificaciones:
| Válvulas de reversión (máx.) | 5 V |
| el rango de respuesta espectral es | de 190 a 1000 nm |
| la longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) fue | 720 nm |
| El tipo | energía fotovoltaica infrarroja |

