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ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

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Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja

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Provincia / Estado:guangdong
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China Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja wholesale
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Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja
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Number modelo :S1337-66BQ
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :311/pcs/pre
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :Tubos de
el área fotográfica es :5,8 × 5.8m m
Número de pixeles :1
Refrigeración y :No- refrescada
Encapsulado :De cerámica
Voltaje reverso (máximo) :5V
la gama de la respuesta espectral es :190 a 1100 nanómetro
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Descripción de producto:

El fotodiodo infrarrojo del silicio de S1337-66BQ se utiliza para la determinación fotométrica exacta en ultravioleta a la banda infrarroja

Características:

Conveniente para la determinación fotométrica exacta del ultravioleta a la banda infrarroja

Alta sensibilidad ULTRAVIOLETA: QE el = 75% (λ=200 nanómetro)

Capacitancia baja

Condiciones de la medida: Ta=25 ℃, tipo., a menos que se indicare en forma diferente, fotosensibilidad: λ=960 nanómetro, corriente oscura: VR=10 milivoltio, tiempo de subida: VR=0 V, capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kilociclo

Especificaciones:

Longitud de onda máxima de la sensibilidad (valor típico) 960 nanómetro
Sensibilidad (valor típico) 0,5 A/W
Actual oscuro (máximo) PA 100
Tiempo de subida (valor típico) 1 MU s
Capacitancia de empalme (valor típico)

380 PF

Fotodetector infrarrojo del silicio de S1337-66BQ en ultravioleta a la banda infrarroja

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