ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

La compañía aboga la cultura corporativa de la “integridad y esmero, innovación pragmática, unidad y cooperación, diligencia y progreso”, presta la atención a la gestión estandardizada, abogados

Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
4 Años
Casa / Productos / Infrared Photoelectric Sensor /

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

Contacta
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
Visita el sitio web
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissXu
Contacta

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

Preguntar último precio
Canal de vídeo
Number modelo :G8370-81
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de suministro :2000 PCS/MES
Plazo de expedición :días 3-5work
Detalles de empaquetado :En una caja
el área fotosensible es :φ1,0 mm
Número de píxeles :1
Encapsulado :El metal
el tipo de encapsulación es :TO-18
Modo de refrigeración :No refrigerados
el rango de respuesta espectral es :0de 0,9 a 1,7 μm
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Descripción del producto:

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

 

Características:

PDL baja (pérdida dependiente de la polarización)

El fotodiodo InGaAs PIN G8370-81 tiene una baja PDL (pérdida dependiente de la polarización), una gran resistencia a la mierda y un ruido muy bajo a 1.55¿Qué es eso?

Características del producto

PDL baja (pérdida dependiente de la polarización)

● Bajo ruido, baja corriente oscura

● Gran área fotográfica

● Área sensible a la luz:φ1 mm

Potencia equivalente de ruido (valor típico) 2Se aplicarán las siguientes medidas:

Condiciones de medición TYP.TA =25°C, fotosensibilidad: λ=λp, corriente oscura: VR=1 V, frecuencia de corte:V = 1 V, RL = 50ω, -3 dB, capacidad terminal: VR=1 V, F=1 MHz, salvo indicación en contrario

 

Especificaciones:

la longitud de onda de sensibilidad máxima (valor típico) fue 1.55 μm
Sensibilidad (valor típico) 1.1 A/W
Corriente oscura (máxima) 5 nA
Frecuencia de corte (valor típico) 35 MHz
Capacidad de unión (valor típico) 90 pF
Potencia equivalente de ruido (valor típico) 2 × 10-14 W/hz1/2

G8370-81 InGaAs PIN Fotodiodo Baja PDL Pérdida de dependencia de la polarización

Carro de la investigación 0