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Partes mecanizadas de tungsteno

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Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd

Ciudad:luoyang

País/Región:china

Persona de contacto:Missgemma.chen

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W Objetivo de tungsteno Fusión de tierras raras Titanio Objetivo de pulverización de tungsteno

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Número de modelo :Blanco de la farfulla del tungsteno

Cantidad mínima de pedido :negocie

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacidad de suministro :10000sets/month

Tiempo de entrega :30 días después de recibir el pago inicial

Detalles del embalaje :Cartones de exportación estándar

Nombre :Objetivos de pulverización de tungsteno

Forma de las piezas :redondo

El material :W Tungsteno

Composición química :99.95% por lo menos.

Condición superficial :torneado, de tierra, puliendo o pulido del espejo

Aplicación :Aeroespacial, fundición de tierras raras

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W Objetivos de pulverización de tungsteno Aeroespacial, fundición de tierras raras

Objetivos de pulverización de tungsteno ampliamente utilizados en la industria aeroespacial, fundición de tierras raras, fuente de luz eléctrica, equipos químicos, equipos médicos, maquinaria metalúrgica, equipos de fundición, petróleo, etc.

Parámetro

OD (mm)	Identificación en mm	Duración ((mm)	Hecho a medida
140 a 300	120 a 280 años	100 a 3300	Hecho a medida

Número de modelo	W1
Forma de las piezas	personalizado
Composición química	99.95% de agua

Características

(1) Superficie lisa, sin poros, esporas u otras imperfecciones, sin bordes de afilado o de trituración, sin marcas de corte

(3) Purificación sanguínea de nivel insuperable

(4) Alta ductilidad

(5) Marcado homogéneo de micro microtrucultura para su artículo especial con nombre, marca, tamaño de pureza, etc.

(7)Cada pieza de los objetivos de pulverización desde el número de materiales en polvo, los trabajadores de mezcla, el tiempo de salida de gases y HIP, la persona de mecanizado y los detalles de embalaje son todos nosotros mismos.

Especificación

Número atómico	74
Número CAS	7440-33-7
Masa atómica	183.84 [g/mol]
Punto de fusión	3420 °C
Punto de ebullición	5555 °C
Densidad a 20 °C	19.25 [g/cm3]
Estructura de cristal	Cubo centrado en el cuerpo
Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C	4.410-6[m/mK]
Conductividad térmica a 20 °C	Se aplicará el procedimiento siguiente:
Calor específico a 20 °C	0.13 [J/gK]
Conductividad eléctrica a 20 °C	18.2106[S/m]
Resistencia eléctrica específica a 20 °C	0.055 [(mm2) /m]

Las aplicaciones

el semiconductor

deposición de vapor químico (CVD)

Display de deposición física de vapor (PVD)

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