Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd
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Meta de tungsteno de alta pureza 99,97% para el recubrimiento por pulverización
Introducción
1El objetivo de pulverización de tungsteno adopta las técnicas mejor demostradas, incluida la fluorescencia de rayos X (XRF), la espectrometría de masas de descarga de brillo (GDMS) y el plasma acoplado inductivamente (ICP);
2El objetivo de tungsteno de Achemetal se proporciona con una alta pureza de hasta 99,97%, densidad de 18,8-19 g/cm3, estructura de organización homogénea y grano fino;
3Nuestro objetivo de pulverización de tungsteno ha sido aprobado por la ASTM B 760-2007 y GB 3875-2006.
Parámetro
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OD (mm) |
Identificación en mm |
Duración ((mm) |
Hecho a medida |
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140 a 300 |
120 a 280 años |
100 a 3300 |
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Número de modelo |
W1 |
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Forma de las piezas |
personalizado |
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Composición química |
99.95% de agua |
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Características
1. Alta densidad
2. Alta resistencia al desgaste
3Alta conductividad térmica con bajo coeficiente de expansión térmica
Especificación
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Número atómico |
74 |
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Número CAS |
7440-33-7 |
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Masa atómica |
183.84 [g/mol] |
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Punto de fusión |
3420 °C |
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Punto de ebullición |
5555 °C |
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Densidad a 20 °C |
19.25 [g/cm3] |
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Estructura de cristal |
Cubo centrado en el cuerpo |
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Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C |
4.410-6[m/mK] |
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Conductividad térmica a 20 °C |
Se aplicará el procedimiento siguiente: |
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Calor específico a 20 °C |
0.13 [J/gK] |
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Conductividad eléctrica a 20 °C |
18.2106[S/m] |
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Resistencia eléctrica específica a 20 °C |
0.055 [(mm2) /m] |
Las aplicaciones
el semiconductor
deposición de vapor químico (CVD)
Display de deposición física de vapor (PVD)