Luoyang Hypersolid Metal Tech Co., Ltd

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W1 Productos de tungsteno Objetivo de pulverización de tungsteno giratorio con trenza

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Ciudad:luoyang
País/Región:china
Persona de contacto:Missgemma.chen
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W1 Productos de tungsteno Objetivo de pulverización de tungsteno giratorio con trenza

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Número de modelo :Blanco de la farfulla del tungsteno
Cantidad mínima de pedido :negocie
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de suministro :10000sets/month
Tiempo de entrega :30 días después de recibir el pago inicial
Detalles del embalaje :Cartones de exportación estándar
Nombre :Blanco de la farfulla del tungsteno
Forma de las piezas :En redondo
El material :TUNGSTENO
Composición química :W 99,95% mínimo.
Condición superficial :torneado, de tierra, puliendo o pulido del espejo
Aplicación :lleve - la capa resistente y resistente a la corrosión de la película fina
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Objetivo de pulverización giratorio de tungsteno

 

Los objetivos de tungsteno se utilizan principalmente en la industria aeroespacial, fundición de tierras raras, fuentes de luz eléctrica, equipos químicos, equipos médicos, maquinaria metalúrgica, equipos de fundición y petróleo, etc.

 

Parámetro

 

OD (mm)

Identificación en mm

Duración ((mm)

Hecho a medida

140 a 300

120 a 280 años

100 a 3300

 

 

Número de modelo

W1

Forma de las piezas

personalizado

Composición química

99.95% de agua

 

Características

 

1.Alta densidad
2. Alta resistencia al desgaste
3Alta conductividad térmica con bajo coeficiente de expansión térmica
4.Alta capacidad de amortiguación de vibraciones y alto módulo de Young
5.Alta resistencia a la oxidación y a la corrosión

 

Especificación

 

Número atómico

74

Número CAS

7440-33-7

Masa atómica

183.84 [g/mol]

Punto de fusión

3420 °C

Punto de ebullición

5555 °C

Densidad a 20 °C

19.25 [g/cm3]

Estructura de cristal

Cubo centrado en el cuerpo

Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C

4.410-6[m/mK]

Conductividad térmica a 20 °C

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Calor específico a 20 °C

0.13 [J/gK]

Conductividad eléctrica a 20 °C

18.2106[S/m]

Resistencia eléctrica específica a 20 °C

0.055 [(mm2) /m]

 

Las aplicaciones

 

el semiconductor

deposición de vapor químico (CVD)

Display de deposición física de vapor (PVD)

 

Carro de la investigación 0