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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

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Casa / Productos / High Power MOSFET / MOSFET de alta potencia de canal N con alta eficiencia baja en resistencia y producción estándar militar /

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MOSFET del poder más elevado

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MOSFET de carburo de silicio

 [20]

MOSFET de súper unión

 [20]

El carburo de silicio SBD

 [27]

MOSFET de alto voltaje

 [40]

MOSFET de bajo voltaje

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IGBT de alta potencia

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Diodos de barrera de Schottky

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Semiconductor de alta potencia

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SIC Semiconductor de potencia

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Rodamiento de bolitas angular del contacto

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Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrMarco Ye
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MOSFET de alta potencia de canal N con alta eficiencia baja en resistencia y producción estándar militar
MOSFET de alta potencia de canal N con alta eficiencia baja en resistencia y producción estándar militar
  • MOSFET de alta potencia de canal N con alta eficiencia baja en resistencia y producción estándar militar
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