MES + disco de la aleación del molibdeno de 0.40-0.55%Ti + de 0.06-0.12%Zr TZM
1. Descripción del disco de la aleación del molibdeno de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
El disco de la aleación del molibdeno de TZM es actualmente el material de alta temperatura de la aleación más excelente del molibdeno. Es endurecimiento sólido de una solución y aleación molibdeno-basada reforzada partícula, TZM es más duro que el metal puro del molibdeno, y tiene una temperatura más alta de la recristalización y una mejor resistencia de arrastramiento, la temperatura de la recristalización es el ℃ cerca de 1400, mucho más alto para el molibdeno, él puede proporcionar un mejor solderability.
2. Tamaño del disco de la aleación del molibdeno de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
Diámetro del disco: 20-600m m
Grueso del disco: 6-25m m
Superficie: negro, C.C, brillante, pulido
Estándar: ASTMB 386
También podemos procesar según la petición del cliente.
3. propiedades mecánicas del disco de la aleación del molibdeno de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
|
Alargamiento
/%
|
Módulo de elástico
/GPa
|
Fuerza de producción
/MPa
|
Resistencia a la tensión
/MPa
|
Dureza de la fractura
/(P.M. ·m1/2)
|
|
<20> |
320
|
560~1150
|
685
|
5.8~29.6
|
4. Composición química medida real del disco de la aleación del molibdeno de TZM:
| Elemento |
Si |
Manganeso |
Ni |
Cu |
V |
Zr |
O |
P |
FE |
Magnesio |
| Concentración (%) |
0,002 |
0,0009 |
0,0008 |
0,0018 |
0,013 |
0,086 |
0,32 |
0,001 |
0,0011 |
0,0015 |
| Elemento |
Al |
Ti |
Ca |
C |
N |
|
|
|
|
|
| Concentración (%) |
0,001 |
0,5 |
<0>
| 0,012 |
0,0022 |
|
|
|
|
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| Pureza (base metálica) el Mo≥99.06% (TZM) |
5. uso del disco de la aleación del molibdeno de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:
Disco de la aleación del molibdeno de TZM usado principalmente para los componentes des alta temperatura del horno, los crisoles, los misiles y la otra boca de cohete bajo temperatura alta.
El disco de la aleación del molibdeno de TZM es ampliamente utilizado como materiales del contacto en los diodos de rectificadores controlados de silicio, los transistores y los tiristores (GTO). Con excepción en de usos del especialista, el molibdeno ahora se acepta como el primer material de montaje bien escogido para los dispositivos de semiconductor del poder debido a su perceptiblemente más barato y peso. El hecho de que ambos materiales tengan un coeficiente de extensión similar al silicio combinado con alta conductividad termal les toma una decisión ideal, especialmente en los dispositivos de poder de la área extensa donde se genera el considerable calor. Otros usos incluyen el uso del molibdeno como bases del disipador de calor en IC, las LSI y los circuitos híbridos.
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