Los discos del molibdeno se utilizan en la industria del semiconductor como materiales del contacto
1. Descripción del disco del molibdeno usada para la industria del semiconductor:
Los discos del molibdeno se utilizan con frecuencia como materiales del contacto en GTOs, transistores, y diodos de rectificador controlado por silicio. Ahora, debido a su costo muy bajo y peso ligero, el molibdeno es el material de la opción para montar los dispositivos de semiconductor del poder a excepción de algunas aplicaciones especiales. Ambos materiales, silicio y molibdeno, tienen el mismo coeficiente de extensión y ambos tienen alta conductividad termal, tomándoles decisiones ideales, especialmente para los dispositivos de poder de la área extensa que generan mucho calor. Más usos incluyen el molibdeno como base del disipador de calor para los productos componentes del semiconductor, los circuitos integrados en grande, y los circuitos híbridos.
2. Tamaño del disco del molibdeno usado para la industria del semiconductor:
Disco del MES
Grueso x del diámetro (10-500m m) (0.1-40) milímetros
Densidad: 10.2g/cm3
Pureza: 99,95%
meterial: Mo1, TZM, MES-La
Superficie: negro, C.C, brillante, pulido
Estándar: ASTMB 386 o ASTM B387
Por requerimiento por el comprador, otros tamaños pueden ser producidos.
Abajo están algunos tamaños para la referencia:
| Grueso |
Diámetro |
| milímetro |
pulgada |
milímetro |
pulgada |
| 0.1 - 0,3 |
0.004 - 0,012 |
1.0 - 50,0 |
0.040 - 2,0 |
| 0.31 - 0,5 |
0.012 - 0,020 |
1.0 - 50,0 |
0.040 - 2,0 |
| 0.51 - 1,0 |
0.020 - 0,040 |
2.0 - 80,0 |
0.080 - 3,2 |
| 1.1 - 2,0 |
0.040 - 0,080 |
10.0 - 130,0 |
0.40 - 5,2 |
| 2.1 - 3,0 |
0.080 - 0,120 |
20.0 - 130,0 |
0.80 - 5,2 |
| 3.1 - 4,0 |
0.120 - 0,160 |
40.0 - 100,0 |
1.60 - 4,0 |
| 4.1 - 6,0 |
0.160 - 0,240 |
50.0 - 90,0 |
2.0 - 3,6 |
3. características del disco del molibdeno usadas para la industria del semiconductor:
El molibdeno tiene un punto de fusión elevada.
Coeficiente bajo de extensión termal.
Alta conductividad termal.
Resistencia baja.
Alta dureza.
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