Blancos de la farfulla del molibdeno para la industria del semiconductor
1. Descripción de las blancos de la farfulla del molibdeno para la industria del semiconductor:
El molibdeno es un metal refractario versátil con calidades mecánicas excepcionales, un coeficiente de extensión bajo, conductividad termal fuerte, y conductividad eléctrica excepcionalmente alta en las temperaturas altas. Hay las combinaciones numerosas que se pueden utilizar como blancos de la farfulla, incluyendo blancos puras del molibdeno, blancos del titanio del molibdeno, blancos del tantalio del molibdeno, y blancos de la aleación del molibdeno (tales como placa de TZM).
Los materiales utilizaron para los semiconductores incluyen blancos puras del metal tales como tungsteno, molibdeno, niobio, titanio, y silicio, además a las sustancias como los óxidos o los nitruros. Tan crucial como los parámetros de funcionamiento de la deposición que los ingenieros y los científicos perfectos en el proceso de capa son el procedimiento de selección material.
2. Tamaño de las blancos de la farfulla del molibdeno para la industria del semiconductor:
Grueso: <20mm>
Diámetro: <300mm>
Superficie: Pulido
Estándar: ASTM B386
El otro tamaño se puede procesar según el dibujo del cliente.
3. Contenido químico de las blancos de la farfulla del molibdeno para la industria del semiconductor:
| Análisis cuantitativo |
| Elemento |
Ni |
Magnesio |
FE |
Pb |
Al |
BI |
Si |
Cd |
Ca |
P |
| Concentración (%) |
0,003 |
0,002 |
0,005 |
0,0001 |
0,002 |
0,0001 |
0,002 |
0,0001 |
0,002 |
0,001 |
| Elemento |
C |
O |
N |
Sb |
Sn |
|
|
|
|
|
| Concentración (%) |
0,01 |
0,003 |
0,003 |
0,0005 |
0,0001 |
|
|
|
|
|
| Pureza (base metálica) MES el ≥99.95% |
| Elemento |
Ni |
Magnesio |
FE |
Pb |
Al |
BI |
Si |
Cd |
P |
| Concentración (%) |
0,0014 |
<0>
| 0,0047 |
<0>
| 0,0002 |
<0>
| <0>
| <0>
| <0>
|
| Elemento |
C |
N |
Sb |
Sn |
Cu |
|
|
|
|
| Concentración (%) |
0,0021 |
0,03 |
<0>
| <0>
| <0>
| |
|
|
|
| Pureza (base metálica) MES ≥99.97 |
|
4.
Propiedades físicas y mecánicas de las
blancos de la
farfulla del molibdeno para la industria del semiconductor:
| Propiedades |
Molibdeno puro |
Molibdeno dopado |
Aleación da alta temperatura del molibdeno |
| Coeficiente atómico |
42 |
|
|
| Peso atómico (m) |
95,95 |
|
|
| Constante del enrejado (a) |
cubo centrado cuerpo |
3,14' 10-10 |
|
|
| Densidad (r) |
10.2g/cm3 |
|
|
| Punto de fusión (t) |
2620±10℃ |
|
|
| Punto de ebullición (t) |
4800℃ |
|
|
| Coeficiente linear de la extensión (a1) |
20℃ |
5,3' 10-6/K |
5,3' 10-6/K |
5,3' 10-6/K |
| 20-1000℃ |
5,8' 10-6/K |
5,8' 10-6/K |
5,8' 10-6/K |
| 20-1500℃ |
6,5' 10-6/K |
6,5' 10-6/K |
6,5' 10-6/K |
| Calor específico (u) |
20℃ |
0.25J/g·K |
0.25J/g·K |
0.25J/g·K |
| 1000℃ |
0.31J/g·K |
0.31J/g·K |
0.31J/g·K |
| 2000℃ |
0.44J/g·K |
0.44J/g·K |
0.44J/g·K |
| Conductividad termal (l) |
20℃ |
142 W/m·K |
142 W/m·K |
126 W/m·K |
| 1000℃ |
105 W/m·K |
105 W/m·K |
98 W/m·K |
| 1500℃ |
88 W/m·K |
88 W/m·K |
86 W/m·K |
| Resistencia (r) |
20℃ |
0.052mWm |
0.065mWm |
0.055mWm |
| 1000℃ |
0.27mWm |
0.28mWm |
0.31mWm |
| 1500℃ |
0.43mWm |
0.43mWm |
0.45mWm |
| 2000℃ |
0.60mWm |
0.63mWm |
0.66mWm |
| Energía radiante |
730℃ |
5500.0W/m2 |
|
|
| 1330℃ |
6300.0W/m2 |
|
|
| 1730℃ |
19200.0W/m2 |
|
|
| 2330℃ |
700000.0W/m2 |
|
|
| Corte transversal de absorción de neutrón termal |
2,7' 10-28m2 |
2,7' 10-28m2 |
2,7' 10-28m2 |
| Resistencia a la tensión (Sb) |
placa de 0.10-8.00m m |
590~785MPa |
450~520MPa |
690~1130MPa |
| alambre f0.80 |
1020MPa |
1570MPa |
|
| Fuerza de producción (S0.2) |
placa de 0.10-8.00m m |
540~620MPa |
290~360MPa |
620~1000MPa |
| Alargamiento (%) |
placa de 0.10-8.00m m |
3~17 |
15~75 |
2~8 |
| alambre f0.80 |
1,5 |
2 |
|
| Módulo de elástico (E) |
20℃ |
320GPa |
320GPa |
320GPa |
| 1000℃ |
270GPa |
270GPa |
270GPa |
| Dureza (HV10) |
Placa de la deformación del <70% |
200~280 |
|
240~340 |
| Placa de la deformación del >70% |
260~360 |
|
300~450 |
| Placa recristalizada |
140~160 |
170~190 |
<200 |
| temperatura de transición Plástico-frágil (T) |
-40~40℃ |
| Temperatura inicial de la recristalización (T) |
la placa 1h de >90%Deformation recoció |
900℃ |
1400℃ |
1250℃ |
| temperatura final de la recristalización (T) |
Recocido por 1 |
1200℃ |
1700℃ |
1600℃ |
5. características de las blancos de la farfulla del molibdeno para la industria del semiconductor:
La capa farfullada se adhiere a las mejores técnicas que convencionales de la deposición del substrato, y los materiales con temperaturas muy de fusión elevada, como el molibdeno y el tungsteno, son muy simples farfullar. Además, mientras que la evaporación se puede hacer solamente de parte inferior para rematar, la farfulla se puede hacer ambas maneras.
Las blancos de la farfulla son redondeadas con frecuencia o rectangulares, aunque haya también opciones cuadradas y triangulares disponibles. El substrato es el artículo que necesita estar cubierto, y puede ser que sea cualquier cosa de las células solares a los componentes ópticos a las obleas de semiconductor. La capa se extiende típicamente en grueso de los angstromes a los micrones. La membrana puede consistir en un solo material o varios materiales apilados en capas.
Las propiedades elevadas de la pureza, de alta densidad, finas, y constantes del grano están presentes en blancos de la farfulla del molibdeno, dando por resultado eficacia extremadamente alta de la farfulla, espesor del film homogéneo, y una superficie que graba al agua fuerte limpia en el proceso de la farfulla.
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