TECNOLOGÍA DE LOS SENSORES CO., LTD. DE QINGDAO DASS

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Manufacturer from China
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7 Años
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Sensor reflexivo difuso en forma de "U", luz infrarroja 980nm del sensor fotoeléctrico del ojo

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TECNOLOGÍA DE LOS SENSORES CO., LTD. DE QINGDAO DASS
Ciudad:qingdao
Provincia / Estado:shandong
País/Región:china
Persona de contacto:MrMA NING
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Sensor reflexivo difuso en forma de "U", luz infrarroja 980nm del sensor fotoeléctrico del ojo

Preguntar último precio
Número de modelo :DS-u
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :5000e
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :30000 PCS un mes
Plazo de expedición :7 días
Detalles de empaquetado :caja de cartón
Sensor fotoeléctrico micro :Velocidad rápida de la detección
Sensor fotoeléctrico en forma de "U" :Adáptese a la contaminación ambiental
Illur ambiente :interferencia de la Anti-luz
Potencia :Protección para la conexión incorrecta del poder
color :Negro
Peso :29g
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Sensor fotoeléctrico DS-u de /U-shaped del sensor fotoeléctrico micro

 

Ventaja

1. interferencia de la Anti-luz

2. interferencia del Anti-poder

3. Inspección Frequency>2KHZ

4. Capacidad de adaptarse a la contaminación ambiental

5. diseño de la Trueno-prueba

 

Photomicrosensor con el amplificador incorporado y el cable atado reduce interferencia ligera externa.
• La modulación ligera reduce con eficacia interferencia ligera externa.
• Gama ancha del voltaje de la operación: 5 a 24 VDC
• Supervisión fácil de la operación con el indicador luminoso brillante.

  Modelo NPN DS-U81 DS-U82 DS-U83 DS-U84 DS-U85 DS-U86 DS-U87 DS-U88
  PNP DS-U81P DS-U82P DS-U83P DS-U84P DS-U85P DS-U86P DS-U87P DS-U88P
  Detección de distancia
(anchura de ranura)
5m m (anchura de ranura)
  Detección del objeto Opaco: 2 × 0,8 milímetro Min.
  Distancia diferenciada 0.025m m
  Fuente de luz GaAs LED infrarrojo (iluminación del pulso) con una longitud de onda máxima de 940 nanómetro
  manera de la salida N= NPN.NO.NC P= PNP.NO.NC
  voltaje 5 a 24 VDC el ±10%, ondulación (p-p): máximo del 10%.
  Consumo actual Media: 35 mA de máximo (NPN). ; Pico: máximo de 30 mA (PNP)
  Iluminación ambiente máximo de 1.000 lx con la luz incandescente en la superficie del receptor
  Gama de temperaturas ambiente Funcionamiento: −25 a +55°C
Almacenamiento: −30 a +80°C
  Gama de humedad ambiente Funcionamiento: el 5% al 85%
Almacenamiento: el 5% al 95%
  Resistencia de la vibración Destrucción: 20 a 2000 herzios,
1,5 milímetros de amplitud del doble para 2 h cada uno en direcciones de X, de Y, y de Z
  Resistencia de choque Destrucción: 500 m/s2 por 3 veces
cada uno en direcciones de X, de Y, y de Z
  Grado de protección IEC IP50
  Método de conexión Prealambrado (longitud de cable estándar: 1 m)
  Frecuencia de la respuesta Minuto de 1 kilociclo (media 3 kilociclos)
  Peso 29g
  Controle la salida Voltaje de NPN hecho salir:
Voltaje de fuente de alimentación de la carga: 5 a 24 VDC
Corriente de la carga: máximo de 100 mA.
De corriente: 0,8 máximos del mA.
corriente de la carga de 100 mA con un voltaje residual de 0,8 máximos de V.
corriente de la carga de 40 mA con un voltaje residual de 0,4 V máximos,
  Material Material de Shell: PBT/ABS
Penetrable para encender la parte: PC

 

 

 

Sensor reflexivo difuso en forma de

 

 

 

Carro de la investigación 0