LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITÓ

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Manufacturer from China
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El canal N MOSFE de BSS123LT1G aumentó el remiendo de la serigrafía del FET 100V 170mA

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LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITÓ
País/Región:china
Persona de contacto:sales
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El canal N MOSFE de BSS123LT1G aumentó el remiendo de la serigrafía del FET 100V 170mA

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Number modelo :BSS123LT1G
Lugar del origen :EN
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :3000
Detalles de empaquetado :Los cartones
Fabricante :onsemi
Categoría de producto :MOSFET
Tecnología :Si
Montaje de estilo :SMD/SMT
Paquete/caso :SOT-23-3
Polaridad del transistor :Canal N
Número de canales :1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :100 V
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El canal N MOSFE de BSS123LT1G aumentó el remiendo de la serigrafía del FET 100V 170mA

Remiendo aumentado canal N MOSFE del FET 100V/170mA pantalla de seda SA SOT-23 de BSS123LT1G

onsemi
MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
Canal N
1 canal
100 V
170 mA
6 ohmios
- 20 V, + 20 V
1,6 V
-
- 55 C
+ 150 C
225 mW
Aumento
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: onsemi
Configuración: Solo
Transconductancia delantera - minuto: ms 80
Altura: 0,94 milímetros
Longitud: 2,9 milímetros
Producto: Pequeña señal del MOSFET
Tipo de producto: MOSFET
Serie: BSS123L
30000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tipo: MOSFET
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 40 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 20 ns
Anchura: 1,3 milímetros
Peso de unidad: 0,000282 onzas
Carro de la investigación 0