Cualidad de producto	Valor del atributo	Cualidad selecta
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	100 V
Identificación - corriente continua del dren:	190 mA
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	6 ohmios
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	1,4 V
Qg - carga de la puerta:	PC 600
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	500 mW
Modo del canal:	Aumento
Calificación:	AEC-Q101
Serie:	BSS123
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	22 ns
Transconductancia delantera - minuto:	ms 410
Altura:	1,1 milímetros
Longitud:	2,9 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	3,2 ns
	3000

Etiquetas de productos:

4435 mosfet

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