Cualidad de producto	Valor del atributo	Cualidad selecta
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOT-363-6
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	Canal 2
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	20 V
Identificación - corriente continua del dren:	1,1 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	235 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 12 V, + 12 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	1,5 V
Qg - carga de la puerta:	2 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	420 mW
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	TrenchFET
Serie:	SI1
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Semiconductores de Vishay
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	10 ns
Altura:	0,75 milímetros
Longitud:	2,05 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	13 ns
	3000

Etiquetas de productos:

mosfet stw20nm50fd

mosfet irf3205

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