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QIN XIN (HONG KONG) ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LIMITED

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BUK7Y3R5-40HX, , 40 V, 120A, Rds en - la resistencia de la Dren-fuente, 934660066115

Categorías de Producto

CI de microcontrolador

 [179]

chip CI del circuito integrado

 [1589]

Chip CI de memoria Flash

 [64]

Chip CI programable

 [44]

Conductor IC Chip del LED

 [62]

Papas fritas CI del ordenador

 [86]

Panel táctil IC

 [42]

Módulo de poder de IGBT

 [60]

Unidad de disco duro del SSD

 [92]

Unidad del microcontrolador de MCU

 [124]

Pequeñas retransmisiones de la señal

 [106]

Microprocesadores de la gestión del poder

 [50]

arsenal de puerta programable del campo

 [54]

microprocesadores del circuito integrado

 [140]
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QIN XIN (HONG KONG) ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LIMITED
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China BUK7Y3R5-40HX, , 40 V, 120A, Rds en - la resistencia de la Dren-fuente, 934660066115 wholesale
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BUK7Y3R5-40HX, , 40 V, 120A, Rds en - la resistencia de la Dren-fuente, 934660066115
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Number modelo :BUK7Y3R5-40HX
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :días 10000+3-5work
Plazo de expedición :3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado :LFPAK-56-5
Fabricante :NEXPERIA
Categoría de producto :MOSFET
Paquete/caso :LFPAK-56-5
Número de canales :1 canal
Calificación :AEC-Q101
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :40 V
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Nexperia
MOSFET
Si
SMD/SMT
LFPAK-56-5
Canal N
1 canal
40 V
120 A
3,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,4 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Aumento
AEC-Q101
Carrete
Corte la cinta
Marca: Nexperia
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 9 ns
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 8 ns
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 19 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 10 ns
Parte # alias: 934660066115
Peso de unidad: 0,003225 onzas
Etiquetas de productos:

ksd 301 250v 16a

ksd 301 16a 250v

ksd301 16a 250v 125grad
Carro de la investigación 0

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