Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	100 V
Identificación - corriente continua del dren:	170 mA
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	6 ohmios
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	1,6 V
Qg - carga de la puerta:	-
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	225 mW
Modo del canal:	Aumento
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Solo
Transconductancia delantera - minuto:	ms 80
Altura:	0,94 milímetros
Longitud:	2,9 milímetros
Producto:	Pequeña señal del MOSFET
Tipo de producto:	MOSFET
Serie:	BSS123L
Cantidad del paquete de la fábrica	3000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Tipo:	MOSFET
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	40 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	20 ns
Anchura:	1,3 milímetros
Peso de unidad:	0,000282 onzas