LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITÓ

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La pequeña señal de FDD770N15A 150V 18V retransmite el foso del poder del canal N

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LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITÓ
País/Región:china
Persona de contacto:sales
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La pequeña señal de FDD770N15A 150V 18V retransmite el foso del poder del canal N

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Number modelo :FDD770N15A
Lugar del origen :EN
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :4000
Detalles de empaquetado :Los cartones
Fabricante :onsemi
Categoría de producto :MOSFET
Tecnología :Si
Montaje de estilo :SMD/SMT
Paquete/caso :DPAK-3
Polaridad del transistor :Canal N
Número de canales :1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :150 V
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La pequeña señal de FDD770N15A 150V 18V retransmite el foso del poder del canal N

Tubo del efecto de campo del MOS del MOSFET de PowerTrench del canal N del MOSFET 150V/18V de FDD770N15A

onsemi
MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3
Canal N
1 canal
150 V
18 A
61 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
8,4 nC
- 55 C
+ 150 C
56,8 W
Aumento
PowerTrench
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: onsemi/Fairchild
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 2,8 ns
Transconductancia delantera - minuto: 20 S
Altura: 2,39 milímetros
Longitud: 6,73 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 3,1 ns
Serie: FDD770N15A
2500
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: ns 15,8
Tiempo de retraso de abertura típico: ns 10,3
Anchura: 6,22 milímetros
Peso de unidad: 0,011640 onzas
Carro de la investigación 0