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QIN XIN (HONG KONG) ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LIMITED

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Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad

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China Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad wholesale
  • China Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad wholesale

Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad
Preguntar último precio
Number modelo :BSC011N03LSI
Lugar del origen :Infineon
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :3000
Detalles de empaquetado :Los cartones
Montaje de estilo :SMD/SMT
Paquete/caso :TDSON-8
Polaridad del transistor :Canal N
Número de canales :1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :30 V
Identificación - corriente continua del dren :230 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente :1,1 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :- 20 V, + 20 V
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Mosfet TDSON-8 de BSC011N03LSI con resistencia interna de gran intensidad y baja

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Infineon
MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
Canal N
1 canal
30 V
230 A
1,1 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Aumento
OptiMOS
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 6,2 ns
Transconductancia delantera - minuto: 80 S
Altura: 1,27 milímetros
Longitud: 5,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 9,2 ns
5000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 35 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 6,4 ns
Anchura: 5,15 milímetros
Parte # alias: BSC11N3LSIXT SP000884574 BSC011N03LSIATMA1
Peso de unidad: 0,003683 onzas
Etiquetas de productos:

high current igbt

high power igbt module

power igbt datasheet
Carro de la investigación 0

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