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LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITÓ

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Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad

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China Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad wholesale
  • China Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad wholesale

Módulo de poder de BSC011N03LSI IGBT con resistencia interna baja de gran intensidad
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Number modelo :BSC011N03LSI
Lugar del origen :Infineon
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :3000
Detalles de empaquetado :Los cartones
Montaje de estilo :SMD/SMT
Paquete/caso :TDSON-8
Polaridad del transistor :Canal N
Número de canales :1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente :30 V
Identificación - corriente continua del dren :230 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente :1,1 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente :- 20 V, + 20 V
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Mosfet TDSON-8 de BSC011N03LSI con resistencia interna de gran intensidad y baja

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MOSFET
RoHS: Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
Canal N
1 canal
30 V
230 A
1,1 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Aumento
OptiMOS
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 6,2 ns
Transconductancia delantera - minuto: 80 S
Altura: 1,27 milímetros
Longitud: 5,9 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 9,2 ns
5000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 35 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 6,4 ns
Anchura: 5,15 milímetros
Parte # alias: BSC11N3LSIXT SP000884574 BSC011N03LSIATMA1
Peso de unidad: 0,003683 onzas
Etiquetas de productos:

high current igbt

high power igbt module

power igbt datasheet
Carro de la investigación 0

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