Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	N
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	A través del agujero
Paquete/caso:	TO-220-7
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	49 V
Identificación - corriente continua del dren:	80 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	6,5 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 20 V, + 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 40 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C
Paladio - disipación de poder:	300 W
Modo del canal:	Aumento
Empaquetado:	Tubo
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	36 ns
Altura:	15,65 milímetros
Longitud:	10 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	37 ns
Serie:	BTS282
	500
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	70 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	30 ns
Anchura:	4,4 milímetros
Parte # alias:	SP000457996 BTS282ZE3230NKSA1
Peso de unidad:	0,068784 onzas