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El canal N MOSFE de BSS123LT1G aumentó el remiendo de la serigrafía del FET 100V 170mA
Remiendo aumentado canal N MOSFE del FET 100V/170mA pantalla de seda SA SOT-23 de BSS123LT1G
| onsemi | ||
| MOSFET | ||
| RoHS: | Detalles | |
| Si | ||
| SMD/SMT | ||
| SOT-23-3 | ||
| Canal N | ||
| 1 canal | ||
| 100 V | ||
| 170 mA | ||
| 6 ohmios | ||
| - 20 V, + 20 V | ||
| 1,6 V | ||
| - | ||
| - 55 C | ||
| + 150 C | ||
| 225 mW | ||
| Aumento | ||
| Carrete | ||
| Corte la cinta | ||
| MouseReel | ||
| Marca: | onsemi | |
| Configuración: | Solo | |
| Transconductancia delantera - minuto: | ms 80 | |
| Altura: | 0,94 milímetros | |
| Longitud: | 2,9 milímetros | |
| Producto: | Pequeña señal del MOSFET | |
| Tipo de producto: | MOSFET | |
| Serie: | BSS123L | |
| 30000 | ||
| Subcategoría: | MOSFETs | |
| Tipo del transistor: | 1 canal N | |
| Tipo: | MOSFET | |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: | 40 ns | |
| Tiempo de retraso de abertura típico: | 20 ns | |
| Anchura: | 1,3 milímetros | |
| Peso de unidad: | 0,000282 onzas |