LA TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA CO. DE QIN XIN (HONG KONG), LIMITÓ

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Poder del canal N 500mV 30V RF de los transistores del MOSFET de AFT05MS003NT1

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País/Región:china
Persona de contacto:sales
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Poder del canal N 500mV 30V RF de los transistores del MOSFET de AFT05MS003NT1

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Number modelo :AFT05MS003NT1
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :días 10000+3-5work
Plazo de expedición :3-5 días del trabajo
Detalles de empaquetado :SOT-89-3, Corte la cinta, carrete
Categoría de producto :Transistores del MOSFET del RF
Polaridad del transistor :Canal N
Paquete/caso :SOT-89-3
Número de canales :1 canal
Frecuencia de funcionamiento :1,8 megaciclos a 941 megaciclos
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Poder del canal N 500mV 30V RF de los transistores del MOSFET de AFT05MS003NT1

AFT05MS003NT1, , transistores del MOSFET del RF, canal N, - 500 milivoltios, 30 V, MOSFET del poder del RF, 1,8 megaciclos a 941 megaciclos, 20,8 DB, SOT-89-3

Cualidad de producto Valor del atributo
Transistores del MOSFET del RF
Canal N
Si
2,6 A
- 500 milivoltios, 30 V
1,8 megaciclos a 941 megaciclos
DB 20,8
3,2 W
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
SOT-89-3
Carrete
Corte la cinta
Marca: Semiconductores de
Número de canales: 1 canal
Paladio - disipación de poder: 30,5 W
Tipo de producto: Transistores del MOSFET del RF
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: MOSFET del poder del RF
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente: - 6 V, 12 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente: 2,2 V
Parte # alias: 935312585147
Peso de unidad: 0,001792 onzas
Carro de la investigación 0