Cualidad de producto	Valor del atributo	Búsqueda similar
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	TO-252-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	60 V
Identificación - corriente continua del dren:	25 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	23 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 16 V, + 16 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	1,2 V
Qg - carga de la puerta:	nC 16,3
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 175 C
Paladio - disipación de poder:	29 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	OptiMOS
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	2 ns
Altura:	2,3 milímetros
Longitud:	6,5 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	1 ns
Serie:	OptiMOS-T2
	2500
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	15 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	6 ns
Anchura:	6,22 milímetros
Parte # alias:	IPD25N6S4L3XT SP000481508 IPD25N06S4L30ATMA1
Peso de unidad:	0,011640 onzas

Etiquetas de productos:

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