Transistores bipolares de MUN5314DW1T1G SOT363 - 100mA Pre-en polarización negativa 50V complementario NPN y PNP

Nota:
1. Para los modelos de IC, del diodo y del triodo, el formato de la cita es: modelo + paquete + cantidad completos.
2. el condensador y el resistor necesitan ser informados el volumen (tamaño) y el paquete, proporcionan por favor el modelo y la especificación completos, de modo que poder citar más rápidamente y convenientemente.
3. los clientes necesitan enviar los documentos de Excel o de la palabra para citar, y también necesitan atar las imágenes para nuestra referencia cuando sea necesario.

Gestión de inventario
Nuestro almacén se regula estrictamente, proporcionando la protección práctica, así como el control de la temperatura antiestática, ambiente para proteger su inventario
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Cualidad de producto	Valor del atributo	Búsqueda similar
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Pre-en polarización negativa
RoHS:	Detalles
Configuración:	Dual
Polaridad del transistor:	NPN, PNP
Resistor entrado típico:	10 kOhms
Ratio típico del resistor:	0,21
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	SOT-363-6
Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento:	80
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:	50 V
Corriente de colector continua:	0,1 A
Corriente de colector máxima de DC:	100 mA
Paladio - disipación de poder:	187 mW
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Serie:	MUN5314DW1
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
HFE del aumento actual de DC máximo:	80 en 5 mA en 10 V
Altura:	0,9 milímetros
Longitud:	2 milímetros
Número de canales:	Canal 2
Tipo de producto:	BJTs - transistores bipolares - Pre-en polarización negativa
Cantidad del paquete de la fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistores
Anchura:	1,25 milímetros
Peso de unidad:	0,000219 onzas

Transistores bipolares del chip CI SOT363 de memoria Flash de MUN5314DW1T1G

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