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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

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Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A del transistor del semiconductor SPW35N60C3 del poder de IGBT CoolMOS

Categorías de Producto

Circuitos integrados ICS

 [3000]

Chip CI de la memoria

 [3000]

Aislador análogo IC

 [2527]

Microcontroladores y procesadores integrados

 [3000]

Transistor de efecto de campo

 [1828]

Módulo de poder de IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

 [303]

Condensador de fines generales

 [41]

Los conectores interconectan

 [83]

Inductor del poder de SMD

 [100]

Componente de la retransmisión

 [203]

Fusibles de la protección de circuito

 [195]
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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
País/Región:china
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China Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A del transistor del semiconductor SPW35N60C3 del poder de IGBT CoolMOS wholesale
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Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A del transistor del semiconductor SPW35N60C3 del poder de IGBT CoolMOS
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Number modelo :SPW35N60C3
Cantidad de orden mínima :Negociable
Condiciones de pago :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :Cantidad disponible 30000 pedazos
Plazo de expedición :Negociable
Modelo del producto :NGTB40N120SWG
Paquete del proveedor :TO247-3
Breve descripción :CoolMOS de IGBT
Categoría de producto :Módulo de potencia IGBT
Áreas de aplicación :pila de carga
Fecha de la fabricación :Dentro de un año
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Gama de productos
  • MOSFET discreto N-Ch 650V 34.6A TO247-3 de los semiconductores SPW35N60C3 de IGBT CoolMOS

Características del App

  •  Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
    •  
  •  Carga ultrabaja de la puerta
  •  La avalancha periódica valoró
  •  El dv extremo /dt valoró
  •  Capacitancias eficaces ultrabajas
  •  Transconductancia mejorada
Datos básicos
Cualidad de producto Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Si
A través del agujero
TO-247-3
Canal N
1 canal
600 V
34,6 A
100 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,1 V
150 nC
- 55 C
+ 150 C
313 W
Aumento
CoolMOS
Tubo
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia delantera - minuto: 36 S
Altura: 21,1 milímetros
Longitud: 16,13 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: CoolMOS C3
240
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado: 70 ns
Tiempo de retraso de abertura típico: 10 ns
Anchura: 5,21 milímetros
Parte # alias: SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1
Peso de unidad: 0,211644 onzas
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
  • MOSFET discreto N-Ch 650V 34.6A TO247-3 de los semiconductores SPW35N60C3 de IGBT CoolMOS
Uso
  •  Ampliamente utilizado en la etapa, concierto, comunicación de la red, smartphones hace tabletas la dongle de las cámaras de los adaptadores de los cuadernos de los ordenadores portátiles
Proceso de la orden

 

Añada las piezas a la forma del RFQ Someta el RFQ Contestamos en el plazo de 24 horas
Usted confirma orden Pago Nave hacia fuera su orden
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STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Chip Diagram

Mosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A del transistor del semiconductor SPW35N60C3 del poder de IGBT CoolMOSMosfet discreto IGBT N-Ch 650V 34.6A del transistor del semiconductor SPW35N60C3 del poder de IGBT CoolMOS

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