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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Establecieron al proveedor del punto en China, TECNOLOGÍA CO., Ltd de YJDN en 2008. Uno de los distribuidores más grandes de los componentes electrónicos de Hong-Kong y de Shenzhen, China.YDJN

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Transistores IGBTs del módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT solo

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China Transistores IGBTs del módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT solo wholesale
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Transistores IGBTs del módulo de poder de IKD06N60RAATMA1 IGBT solo
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Número de parte :IKD06N60RAATMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Descripción :IGBT 600V 12A 100W TO252
Categoría :Transistores - IGBTs - solos
Familia :Transistores - IGBTs - solos
Serie :TrenchStop™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones IKD06N60RAATMA1

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 600V
Actual - colector (Ic) (máximo) 12A
Actual - colector pulsado (Icm) 18A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Poder - máximo 100W
Energía que cambia 110µJ (encendido), 220µJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 48nC
TD (con./desc.) @ 25°C 12ns/127ns
Condición de prueba 400V, 6A, 23 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 68ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado IKD06N60RAATMA1

Detección

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power igbt datasheet

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