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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Transistores IGBTs del módulo de poder de STGWA80H65DFB IGBT solo

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China Transistores IGBTs del módulo de poder de STGWA80H65DFB IGBT solo wholesale
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Transistores IGBTs del módulo de poder de STGWA80H65DFB IGBT solo
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Número de parte :STGWA80H65DFB
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Categoría :Transistores - IGBTs - solos
Familia :Transistores - IGBTs - solos
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de STGWA80H65DFB

Situación de la parte Activo
Tipo de IGBT Parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) 650V
Actual - colector (Ic) (máximo) 120A
Actual - colector pulsado (Icm) 240A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Poder - máximo 469W
Energía que cambia 2.1mJ (encendido), 1.5mJ (apagado)
Tipo entrado Estándar
Carga de la puerta 414nC
TD (con./desc.) @ 25°C 84ns/280ns
Condición de prueba 400V, 80A, 10 ohmios, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) 85ns
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete/caso TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 lleva de largo
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de STGWA80H65DFB

Detección

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