KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Miembro activo
3 Años
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Transistores discretos de los semiconductores de IRFB4110PBF para la protección de circuito

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País/Región:china
Persona de contacto:MissVicky
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Transistores discretos de los semiconductores de IRFB4110PBF para la protección de circuito

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Number modelo :IRFB4110PBF
Cantidad de orden mínima :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :Cantidad disponible 4128 pedazos
Plazo de expedición :Negociable
Modelo del producto :IRFB4110PBF
Paquete del proveedor :TO-220-3
Breve descripción :MOSFET
Categoría de producto :Transistor de efecto de campo
Áreas de aplicación :Protección de circuito
Fecha de la fabricación :Dentro de un año
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Gama de productos
 
  • MOSFET discreto IRFB4110PBF de los transistores de los semiconductores de los semiconductores del transistor de efecto de campo
  • Canal N del MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC TO-220-3
Características del App
  1.   Características
  •  Rectificación síncrona de la eficacia alta en SMPS
  •  Sistema de alimentación ininterrumpida
  •  Transferencia de alta velocidad del poder
  •  Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
  1. Ventajas
  • Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dv/dt
  • Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
  • Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
  • Sin plomo
  • RoHS obediente, Halógeno-libre
Datos básicos
Cualidad de producto Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Si
A través del agujero
TO-220-3
Canal N
1 canal
100 V
180 A
3,7 mOhms
- 20 V, + 20 V
1,8 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Aumento
Tubo
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Altura: 15,65 milímetros
Longitud: 10 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
1000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 4,4 milímetros
Parte # alias: IRFB4110PBF SP001570598
Peso de unidad: 0,068784 onzas

 

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
 
  • Motores de BLDC
  • Motores síncronos trifásicos del imán permanente
  • Inversores
  • Medios conductores del puente
  • Sistemas de control robóticos
  • Dispositivos
  •  Infraestructura de la rejilla
  •  EPOS • Theate casero
  •  Sistemas eléctricos distribuidos
  •  Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red
  •  fuentes de alimentación ndustrial • Energía solar
  •  Impulsión del motor
Proceso de la orden

 

Añada las piezas a la forma del RFQ Someta el RFQ Contestamos en el plazo de 24 horas
Usted confirma orden Pago Nave hacia fuera su orden
Más modelos del MOSFET

 

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IRFB4110PBF IRFB4127PBF IRFB7730PBF IRFB7440PBF IRFB7537PBF
Circuitos integrados Ics
SSD2832G24 SSD2830QL9 SSD2829QL9 SSD2861QN10 SSD2858K1
SSD2848K1 SSD2828QN4 SSD2805CG39R SSD1963G41 A4988SETTR-T
MIC28515T-E/PHA MIC28514T-E/PHA MIC28513-1YFL-TR MIC28516T-E/PHA MIC28510YJL-TR
TPS54160DGQR TPS54160ADRCR TPS54140ADRCR TPS5410MDREP TPS54336ADDAR
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Microcontroladores-MCU
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STM32F042C6T6 STM32F042K6T6 STM32F042K4U6 STM32F042F6P7 STM32F042F4P6TR
STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Chip Diagram

Transistores discretos de los semiconductores de IRFB4110PBF para la protección de circuitoTransistores discretos de los semiconductores de IRFB4110PBF para la protección de circuito

Carro de la investigación 0