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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
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Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
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China Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V wholesale
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Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V
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Number modelo :IRFB3206PBF
Cantidad mínima de pedido :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :Cantidad disponible 4128 pedazos
Plazo de expedición :Negociable
Modelo del producto :IRFB3206PBF
Paquete del proveedor :TO-220-3
Breve descripción :Semiconductores
Categoría de producto :Mosfe
Áreas de aplicación :Controladores de puerta
Fecha de la fabricación :Dentro de un año
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Canal N IR 60V del Mosfet del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF solo

 

Gama de productos
 
  • 60V solo canal N IR MOSFET™ en un paquete de TO-220AB
Características del App
  • Optimizado para la disponibilidad más amplia de socios de la distribución
  • Calificación del producto según estándar de JEDEC
  • Paquete del poder del por-agujero del estándar industrial
  • Paquete de gran intensidad de la capacidad que lleva
  • Compatibilidad del proveedor múltiple
  • Nivel de la calificación del estándar industrial
  • El pinout estándar permite descenso en el reemplazo
  • Capacidad que lleva actual creciente
Datos básicos
  
Cualidad de producto Valor del atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFET
RoHS: Detalles
Si
A través del agujero
TO-220-3
Canal N
1 canal
60 V
210 A
2,4 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Aumento
Tubo
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Solo
Altura: 15,65 milímetros
Longitud: 10 milímetros
Tipo de producto: MOSFET
1000
Subcategoría: MOSFETs
Tipo del transistor: 1 canal N
Anchura: 4,4 milímetros
Parte # alias: IRFB3206PBF
Peso de unidad: 0,068784 onzas

 

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
 
  •  impresoras 3D
  •  Aparatos electrodomésticos
  •  Control e impulsiones de motor
  •  Herramientas eléctricas
  •  Solución de confianza del semiconductor para los vehículos eléctricos ligeros (LEV)
  •  Motores de BLDC
  •  Motores síncronos trifásicos del imán permanente
  •  Inversores
  •  Medios conductores del puente
  •  Sistemas de control robóticos
  •  Dispositivos
  •  Infraestructura de la rejilla
  •  EPOS • Theate casero
Proceso de la orden

 

Añada las piezas a la forma del RFQ Someta el RFQ Contestamos en el plazo de 24 horas
Usted confirma orden Pago Nave hacia fuera su orden
Más modelos de los Ics de los circuitos integrados

 

Circuitos integrados Ics
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Microcontroladores-MCU
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STM32F030R8T6TR STM32F030CCT6 STM32F030RCT6 STM32F030K6T6T STM32F030CCT6TR
STM32F042C6T6 STM32F042K6T6 STM32F042K4U6 STM32F042F6P7 STM32F042F4P6TR
STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Chip Diagram

Solo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60VSolo Mosfet IR del canal N del transistor de efecto de campo de IRFB3206PBF 60V

Etiquetas de productos:

irf520 mosfet

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