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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IPW50R250CP solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IPW50R250CP solos wholesale
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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IPW50R250CP solos
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Número de parte :IPW50R250CP
Fabricante :Tecnologías de Infineon
Descripción :MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :CoolMOS™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de IPW50R250CP

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 500V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 13A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 520µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 36nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1420pF @ 100V
Vgs (máximo) ±20V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 114W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 250 mOhm @ 7.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete/caso TO-247-3
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IPW50R250CP

Detección

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