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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD5NM60T4 solos

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China MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD5NM60T4 solos wholesale
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MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo STD5NM60T4 solos
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Número de parte :STD5NM60T4
Fabricante :STMicroelectronics
Descripción :MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Serie :MDmesh™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones STD5NM60T4

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 400pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 96W (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1 ohmio @ 2.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete/caso TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado STD5NM60T4

Detección

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Etiquetas de productos:

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