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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLL8H0514L-130U

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Chip CI de la memoria

 [3000]

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 [3000]

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 [1828]

Módulo de poder de IGBT

 [1002]

Triodo del diodo

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China Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLL8H0514L-130U wholesale
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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLL8H0514L-130U
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Número de parte :BLL8H0514L-130U
Fabricante :Ampleon los USA Inc.
Descripción :FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A del RF
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de BLL8H0514L-130U

Situación de la parte Activo
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 1.2GHz ~ 1.4GHz
Aumento 17dB
Voltaje - prueba 50V
Grado actual -
Figura de ruido -
Actual - prueba 50mA
Poder - salida 130W
Voltaje - clasificado 100V
Paquete/caso SOT-1135A
Paquete del dispositivo del proveedor CDFM2
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLL8H0514L-130U

Detección

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Etiquetas de productos:

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