KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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3 Años
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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G27-10GHJ

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País/Región:china
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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G27-10GHJ

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Número de parte :BLF6G27-10GHJ
Fabricante :Ampleon los USA Inc.
Descripción :FET LDMOS 65V 19DB SOT975C del RF
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de BLF6G27-10GHJ

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.5GHz ~ 2.7GHz
Aumento 19dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual 3.5A
Figura de ruido -
Actual - prueba 130mA
Poder - salida 2W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-975C
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-975C
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de BLF6G27-10GHJ

Detección

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