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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112

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Módulo de poder de IGBT

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China Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112 wholesale
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Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112
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Número de parte :BLF7G24L-140,112
Fabricante :Ampleon los USA Inc.
Descripción :FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A del RF
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones BLF7G24L-140,112

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del transistor LDMOS
Frecuencia 2.3GHz ~ 2.4GHz
Aumento 18.5dB
Voltaje - prueba 28V
Grado actual 28A
Figura de ruido -
Actual - prueba 1.3A
Poder - salida 30W
Voltaje - clasificado 65V
Paquete/caso SOT-502A
Paquete del dispositivo del proveedor LDMOST
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado BLF7G24L-140,112

Detección

Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo BLF7G24L-140,112

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