KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo RJM0603JSC-00#12

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo RJM0603JSC-00#12

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Número de parte :RJM0603JSC-00#12
Fabricante :Electrónica América de Renesas
Descripción :MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :Automotriz, AEC-Q101
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones RJM0603JSC-00#12

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 3 N y 3 (puente trifásico)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica, impulsión 4.5V
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 20A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 20 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 2600pF @ 10V
Poder - máximo 54W
Temperatura de funcionamiento 175°C
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso (0,433", anchura de 11.00m m) cojín expuesto 20-SOIC
Paquete del dispositivo del proveedor 20-HSOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado RJM0603JSC-00#12

Detección

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