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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHD3100CT1G

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China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHD3100CT1G wholesale
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHD3100CT1G
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Número de parte :NTHD3100CT1G
Fabricante :EN el semiconductor
Descripción :MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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Especificaciones de NTHD3100CT1G

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.9A, 3.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 165pF @ 10V
Poder - máximo 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SMD, ventaja plana
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NTHD3100CT1G

Detección

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