KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

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País/Región:china
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BUK9K29-100E, 115 órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo

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Número de parte :BUK9K29-100E, 115
Fabricante :Nexperia los USA Inc.
Descripción :MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Categoría :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia :Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Serie :Automotriz, AEC-Q101, TrenchMOS™
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :Negociable
Plazo de expedición :Negociable
Condiciones de pago :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :100000
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BUK9K29-100E, 115 especificaciones

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 100V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 30A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 27 mOhm @ 10A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 54nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3491pF @ 25V
Poder - máximo 68W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-1205, 8-LFPAK56
Paquete del dispositivo del proveedor LFPAK56D
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

BUK9K29-100E, 115 que empaquetan

Detección

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