VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
Compatible con versiones anteriores a VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Apoya los dispositivos de DDR3L para ser al revés compatible en los usos 1.5V
Estroboscópico bidireccional diferenciado de los datos
arquitectura del prefetch 8n-bit
Terminación nominal y dinámica del en-dado (ODT) para los datos, el estroboscópico, y las señales de la máscara
Estado latente programable de CAS (LEÍDO) (CL)
Estado latente aditivo fijado programable de CAS (AL)
Estado latente programable de CAS (ESCRIBA) (CWL)
Longitud estallada fija (BL) de 8 y de la tajada de la explosión (porque)

Especificaciones

Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	Tecnología del micrón
Categoría de producto:	NAND Flash
RoHS:	Detalles
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	TSOP-48
Serie:	MT29F
Tamaño de la memoria:	2 Gbit
Tipo de interfaz:	Paralelo
Organización:	128 M x 16
Tipo que mide el tiempo:	Asincrónico
Anchura del ómnibus de datos:	pedazo 16
Voltaje de fuente - minuto:	2,7 V
Voltaje de fuente - máximo:	3,6 V
Corriente de la fuente - máxima:	35 mA
Temperatura de funcionamiento mínima:	0 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 70 C
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	Carrete
Marca:	Micrón
Tipo de la memoria:	NAND
Producto:	NAND Flash
Tipo de producto:	NAND Flash
Estándar:	No apoyado
	1000
Subcategoría:	Almacenamiento de la memoria y de datos
Tipo:	Ningún bloque de bota

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA

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