MICRÓN MT29F32G08CBADBWP de los ICs de la gestión del poder de NAND Flash Memory Ic Chip
Gama de productos
Características del App
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V) Compatible con versiones anteriores a VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
Apoya los dispositivos de DDR3L para ser al revés compatible en los usos 1.5V
Estroboscópico bidireccional diferenciado de los datos arquitectura del prefetch 8n-bit Terminación nominal y dinámica del en-dado (ODT) para los datos, el estroboscópico, y las señales de la máscara Estado latente programable de CAS (LEÍDO) (CL) Estado latente aditivo fijado programable de CAS (AL) Estado latente programable de CAS (ESCRIBA) (CWL) Longitud estallada fija (BL) de 8 y de la tajada de la explosión (porque)
Datos básicos
Cualidad de producto
Valor del atributo
Fabricante: MICRÓN
Categoría de producto:
Conductores de la puerta
RoHS:
Detalles
Producto: Memoria Ic
Montaje de estilo: SMD/SMT
Paquete/caso: FBGA-96 (9x14)
Serie: MT41K256M16HA-125: E
Empaquetado: Carrete
Empaquetado: Corte la cinta
Empaquetado: Carrete
Marca:
MICRÓN
Humedad sensible:
Sí
Tipo de producto:
Conductores de la puerta
2500
Subcategoría:
NAND Flash
Tecnología:
Si
Marca registrada:
NexFET
Peso de unidad:
0,001686 onzas
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
MICRÓN MT41K256M16HA-125 de NAND Flash Memory Ic Chip RDA SDRAM: E
Uso
Ultrabook/convertidores del cuaderno DC/DC Vcore polifásico y soluciones de RDA Dólar síncrono de la Punto-de-carga en NetworkingTelecom, y sistemas de cálculo Sistemas con pilas Usos portátiles de HDMI Usos de USB-OTG Teléfonos celulares, teléfonos elegantes
Proceso de la orden
Añada las piezas a la forma del RFQ Someta el RFQ Contestamos en el plazo de 24 horas
Usted confirma orden Pago Nave hacia fuera su orden
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Uso
Ampliamente utilizado en etapa Concierto viva en la TV Nueva energía Aparatos electrodomésticos 3C Digitaces Electrónica de automóvil Instrumentos de medida
Chip Diagram
