TC7S04F(TE85L,F) Inversor IC 1 canal SMV
Ficha de datos:TC7S04F(TE85L,F)
| Categoría | Puertas e Inversores |
| Fabricante | Semiconductores y almacenamiento de Toshiba |
| Serie | TC7S |
| Estado del producto | Activo |
| Tipo de lógica | Inversor |
| Suministro de voltaje | 2V ~ 6V |
| Corriente - Inactiva (Máx.) | 1µA |
| Corriente: salida alta, baja | 2,6 mA, 2,6 mA |
| Nivel lógico de entrada: bajo | 0,5 V ~ 1,8 V |
| Nivel lógico de entrada - Alto | 1,5 V ~ 4,2 V |
| Retraso máximo de propagación @ V, Max CL | 17ns @ 6V, 50pF |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
| Tipo de montaje | Montaje superficial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SMV |
| Paquete / Caja | SC-74A, SOT-753 |
| Número de producto base | 7S08 |
El TC7S04 es un inversor C2 MOS de alta velocidad fabricado con tecnología de puerta de silicio C2 MOS.
Logra una operación de alta velocidad similar a la LSTTL equivalente mientras mantiene la disipación de baja potencia C2 MOS.
El circuito interno se compone de 3 etapas, incluida la salida de búfer, lo que permite una alta inmunidad al ruido y una salida estable.
La entrada está equipada con circuitos de protección contra descargas estáticas o sobretensiones transitorias.
Las corrientes de salida son 1/2 en comparación con los modelos de la serie TC74HC
Recursos adicionales:
| ATRIBUTO | DESCRIPCIÓN |
| Otros nombres | TC7S04F(TE85L,F) |
| | TC7S04FLFDKR |
| | TC7S04F(T5LFT)CT |
| | TC7S04F(T5LFT)DKR-ND |
| | TC7S04FT5LFT |
| | TC7S04FTFTR |
| | TC7S04FTCT-NDR |
| | TC7S04F(T5LFT)TR |
| | TC7S04F(TE85LF)TR-ND |
| | TC7S04F(T5LFT)CT-ND |
| | TC7S04FTTR-NDR |
| | TC7S04F(T5LFT)TR-ND |
| | TC7S04F,LF(T |
| | TC7S04F(TE85LF)CT |
| | TC7S04F(TE85LF)CT-ND |
| | TC7S04F(TE85LF)DKR-ND |
| | TC7S04F(TE85LF)TR |
| | TC7S04FTFDKR |
| | TC7S04FTFDKR-ND |
| | TC7S04F,LF(B |
| | TC7S04FLFTR |
| | TC7S04F(T5L,F,T) |
| | TC7S04F (T5L,F,T) |
| | TC7S04F(T5LFT)DKR |
| | TC7S04FTFCT |
| | TC7S04FTFCT-ND |
| | TC7S04F(TE85LF)DKR |
| | TC7S04FTFTR-ND |
| | TC7S04FLFCT |
| Paquete estándar | 3000 |
Características
• Alta velocidad: tpd = 7 ns (típ.) a VCC = 5 V
• Baja disipación de potencia: ICC = 1 μA (máx.) a Ta = 25 °C
• Alta inmunidad al ruido: VNIH = VNIL = 28% VCC (min)
• Capacidad de accionamiento de salida: 5 cargas LSTTL
• Impedancia de salida simétrica: |IOH|= LIO = 2 mA (mín.)
• Retardos de propagación equilibrados: tpLH ∼− tpHL
• Amplio rango de tensión de funcionamiento: VCC (opr) = 2 a 6 V
Imagen de datos:
